덮개를 안 닫았는데 절전된다면, 노트북 홀 센서를 자석 하나로 확인하기

노트북을 쓰다가 덮개를 닫지도 않았는데 화면이 꺼지고 절전 모드로 들어가거나, 반대로 덮개를 닫아도 절전이 안 되는 경우가 있습니다. 전원부나 운영체제 설정을 먼저 의심하기 쉽지만, 원인이 덮개 감지용 홀 센서(Hall sensor)나 그 신호선에 있는 경우도 있습니다.

이 글에서는 노트북이 덮개 닫힘을 어떻게 알아내는지 짚고, 자석 하나와 멀티미터로 센서 불량인지, 외부 자석 간섭인지, EC 쪽 문제인지를 가르는 순서를 정리합니다. 실제 신호 이름과 전압은 제조사마다 다르니 해당 모델의 회로도나 보드뷰로 확인하세요.

이 글에는 직접 만든 그래프 두 개를 함께 넣었습니다. 하나는 덮개 자석과 그보다 큰 외부 자석이 센서에서 몇 mm 떨어졌을 때 홀 센서가 ‘닫힘’으로 바뀌고 다시 ‘열림’으로 돌아오는지를 홀 센서 데이터시트의 동작점으로 직접 계산한 결과이고, 다른 하나는 침수로 센서 출력선에 누설이 생겼을 때 EC가 읽는 전압이 어떻게 떨어지는지를 ngspice로 시뮬레이션한 결과입니다. 가정한 조건은 각 그래프 설명에 모두 적었습니다.

노트북은 덮개 닫힘을 이렇게 압니다

디스플레이 베젤 안쪽에는 작은 영구자석이 있고, 그 자석이 닿는 위치의 메인보드(또는 서브보드)에 홀 센서 IC가 있습니다. 덮개를 닫으면 자석이 센서 위로 오고, 센서는 자기장을 감지해 출력 핀을 GND 쪽으로 끌어내립니다.

• 출력 형태: 오픈 드레인 출력 센서라면 평소에는 풀업 저항 때문에 풀업 전압이 걸려 있고, 자석이 가까워지면 0V 근처로 떨어지는 액티브 로우 방식으로 동작합니다. 출력이 스스로 high를 내는 푸시풀 센서도 있습니다. 예를 들어 TI DRV5032는 FA·FB 버전이 푸시풀, FC·AJ 버전이 오픈 드레인입니다. 회로도에서 출력선에 풀업 저항이 달려 있는지 확인합니다.
• 신호를 받는 쪽: 이 출력은 LID#, LID_SW# 같은 이름으로 EC(임베디드 컨트롤러)에 들어갑니다. EC는 이 신호를 보고 운영체제에 ‘덮개 닫힘’ 이벤트를 보냅니다.
• 극성: 자석을 어느 방향으로 붙여도 되도록 N극과 S극 모두에 반응하는 옴니폴라(omnipolar) 센서를 쓰는 경우가 있습니다. TI DRV5032 데이터시트도 노트북·태블릿 덮개 감지를 응용 예로 들고 있고, FA·FB·FC·AJ 버전이 옴니폴라입니다. 한쪽 극에만 반응하는 센서를 대체품으로 달면 자석 방향에 따라 동작하지 않을 수 있습니다.

증상별로 의심할 곳

• 덮개를 연 채로 갑자기 절전: 센서 출력이 이유 없이 0V로 떨어지는 경우입니다. 센서 불량, 출력 라인 누설(침수·부식), 또는 근처의 외부 자석을 의심합니다.
• 닫아도 절전이 안 됨: 센서가 자석을 못 느끼는 경우입니다. 베젤 자석이 빠졌거나, 디스플레이 교체 후 자석 위치가 달라졌거나, 센서가 고장 난 경우를 의심합니다.
• 특정 각도나 위치에서만 증상: 태블릿 거치대, 자석식 케이스, 스마트폰 자석 액세서리, 스피커처럼 자석이 든 물건이 센서 근처에 있을 때 생길 수 있습니다. 어느 정도 거리까지 영향을 주는지는 아래 직접 계산에 정리했습니다.
• 부팅 직후 화면이 켜지지 않음: 덮개가 닫혀 있다고 판단해 내장 화면을 끄는 모델도 있습니다. 외부 모니터로는 화면이 나오는지 먼저 봅니다. 외부 모니터에는 나오고 내장 화면만 꺼져 있다면 패널 고장보다 덮개 신호를 먼저 의심합니다.

자석 하나로 하는 1차 확인

부품을 뜯기 전에 할 수 있는 확인입니다. 서비스 매뉴얼이나 보드뷰로 센서 위치를 찾거나, 보통 키보드 팜레스트 좌우 한쪽 가장자리를 의심합니다. 덮개를 연 상태에서 작은 자석을 그 위치에 천천히 가져가 봅니다. 고무판 형태의 냉장고 자석은 가까이 대야만 반응할 만큼 약할 수 있으니, 반응이 없으면 작은 네오디뮴 자석으로도 해 봅니다.

• 자석을 댔을 때 화면이 꺼지고 절전으로 들어가면 센서와 EC 경로는 일단 동작한다고 볼 수 있습니다. 이 경우 베젤 자석 이탈이나 위치 문제를 봅니다. 베젤 안쪽 자석은 양면테이프로 붙어 있어 충격이나 열에 떨어지기도 합니다.
• 자석을 어디에 대도 반응이 없다면 센서, 풀업 전원, 출력 라인, EC 입력 쪽을 측정해야 합니다.
• 자석을 대지 않아도 절전이 반복된다면 주변 자석을 모두 치우고 같은 조건에서 다시 확인합니다.

직접 계산: 자석이 몇 mm 안에 와야 센서가 ‘닫힘’으로 바뀌나

자석 시험이 왜 통하는지, 그리고 주변 자석 하나로 왜 절전이 걸리는지를 숫자로 보기 위해 자석 거리별 자기장 세기를 직접 계산했습니다. 이 글의 참고 자료에 있는 TI DRV5032 데이터시트에는 원통형 자석의 중심축 위 자속 밀도를 구하는 식(식 2)과, 센서가 출력을 바꾸는 자기장 세기가 나와 있습니다. 옴니폴라 버전인 DRV5032FA·FB·FC는 동작점(BOP)이 최소 1.5mT, 일반 3mT, 최대 4.8mT이고, 다시 꺼지는 복귀점(BRP)이 최소 0.5mT, 일반 1.5mT, 최대 3mT입니다. 데이터시트는 어느 부품이든 동작시키려면 BOP 최대값보다 센 자기장을, 어느 부품이든 복귀시키려면 BRP 최소값보다 약한 자기장을 주라고 설명합니다.

가정은 다음과 같습니다. 덮개 자석은 지름 6mm, 두께 2mm 원판, 비교용 외부 자석(가방 걸쇠나 자석 액세서리 정도를 생각한 크기)은 지름 12mm, 두께 3mm 원판으로 두고, 둘 다 N35 등급 네오디뮴의 잔류 자속 밀도 Br을 1.17T로 잡았습니다. 실제 노트북의 자석 모양·크기·등급과 센서 부품은 모델마다 다르므로, 이 값들은 계산을 위해 정한 것이며 특정 제품의 값이 아닙니다. 거리는 자석 면에서 센서 감지부까지이고, 자석이 센서 바로 위(중심축)에 있다고 보았습니다. 옆으로 비켜나면 자기장은 이보다 약해지는데, 이 식으로는 계산하지 않았습니다.

자석 (가정)	5mm	10mm	15mm	20mm	30mm
덮개 자석 Ø6×2mm	36.07mT	7.2mT	2.46mT	1.11mT	0.35mT
외부 자석 Ø12×3mm	93.49mT	29.52mT	11.82mT	5.73mT	1.92mT

직접 계산 결과, 덮개 자석은 5mm에서 36.07mT, 10mm에서 7.2mT, 15mm에서 2.46mT로 거리가 몇 mm만 늘어도 몇 배씩 약해졌습니다. 이 자석으로 어느 DRV5032FA·FB·FC든 동작한다고 볼 수 있는 거리(4.8mT)는 11.7mm 이내였고, 일반값 부품은 13.9mm에서 동작해 17.9mm까지 멀어져야 복귀했습니다. 동작과 복귀 사이에 4mm의 간격(히스테리시스)이 있는 셈입니다. 어느 부품이든 복귀한다고 볼 수 있는 거리(0.5mT)는 26.5mm였습니다. 외부 자석은 더 멀리서도 세서, 21.4mm 이내면 어느 부품이든 동작하고 감도가 높은 쪽 부품은 32.8mm에서도 동작할 수 있었습니다. 한번 동작하면 어느 부품이든 복귀한다고 볼 수 있는 거리는 48.4mm였습니다. 자석 온도가 60°C로 올라 Br이 줄어드는 경우(온도 계수 −0.12%/°C 가정)도 계산했는데, 덮개 자석의 4.8mT 거리는 11.7mm에서 11.5mm로 크게 달라지지 않았습니다.

이 결과를 진단에 쓰는 방법은 다음과 같습니다.

• 덮개를 연 채로 절전되면, 팜레스트 위 물건부터 치웁니다. 위 가정의 외부 자석은 센서에서 21.4mm 안에만 들어와도 센서를 동작시킬 수 있는 세기였습니다. 팜레스트 위나 바로 옆에 둔 자석 액세서리, 자석 걸쇠가 달린 가방이나 파우치, 스피커처럼 자석이 든 물건은 센서까지 그 정도 거리에 들어올 수 있습니다. 노트북 상판의 플라스틱이나 알루미늄은 자기장을 막지 못합니다.
• 조금 옮겨서는 안 풀릴 수 있습니다. 동작점보다 복귀점이 낮아서, 외부 자석으로 한번 ‘닫힘’이 되면 동작하던 거리보다 더 멀리 치워야 풀립니다. 위 계산에서는 일반값 부품 기준으로 동작 25.5mm, 복귀 32.8mm였고, 어느 부품이든 풀린다고 볼 수 있는 거리는 48.4mm였습니다. 의심되는 물건은 넉넉히 멀리 치운 뒤 같은 조건에서 다시 확인합니다.
• 디스플레이·베젤 교체 뒤 닫아도 절전이 안 되면, 자석과 센서 사이 거리를 봅니다. 덮개 자석은 거리가 5mm에서 10mm로 늘면 자기장이 36.07mT에서 7.2mT로 줄었습니다. 자석이 빠졌거나, 두께가 다른 패널이나 베젤 때문에 거리가 늘었거나, 옆으로 비켜 붙으면 ‘닫힘’으로 바뀌지 않을 수 있습니다. 원래 베젤의 자석 위치와 크기를 비교합니다.
• 감도가 다른 대체품은 같은 자석으로 동작 거리가 달라집니다. 같은 DRV5032 계열이라도 AJ 버전은 BOP가 일반 7mT, 최대 9.5mT여서, 위 덮개 자석으로 어느 부품이든 동작하는 거리가 9mm로 FA·FB·FC의 11.7mm보다 짧아졌습니다(직접 계산). 센서를 바꾼 뒤 닫아도 절전이 안 되면 원래 부품과 감도가 같은지 확인합니다.
• 자석 시험은 같은 자석으로 비교할 때 의미가 있습니다. 손에 든 자석의 세기를 모르니 몇 mm에서 반응해야 정상이라고 정할 수는 없습니다. 대신 같은 자석을 팜레스트 좌우 가장자리에 같은 높이로 천천히 가져가 보면 센서 위치를 찾을 수 있고, 수리 전후에 반응하는 거리를 비교할 수 있습니다.

이 계산은 자석 중심축 위의 자기장만 다룬 단순한 모델입니다. 실제 자석은 직육면체이거나 여러 개를 이어 붙이기도 하고, 주변의 철판·나사·스피커 같은 자성체가 자기장 모양을 바꿉니다. 센서 감지부가 패키지 안 어디에 있는지도 부품마다 다릅니다. 거리 수치는 가정한 자석의 경우로만 보시고, 자기장이 거리에 따라 얼마나 빨리 줄어드는지와 동작·복귀 사이 간격이 어떻게 생기는지를 이해하는 용도로 보시기 바랍니다.

멀티미터로 출력 신호 재기

보드를 켠 상태에서 센서 출력 핀(또는 EC 입력 쪽 테스트 포인트)과 GND 사이 전압을 잽니다. 풀업 전압은 보드에 따라 3.3V나 1.8V 등으로 다르니, 회로도의 풀업 저항 연결을 확인하고 그 값과 비교합니다. 전원 레일을 따라가며 전압을 재는 요령은 충전 IC까지 전압을 따라가는 글에 정리해 두었습니다.

• 열린 상태에서 풀업 전압, 자석을 대면 0V 근처: 센서는 정상입니다. 증상이 계속되면 EC나 BIOS 쪽을 봅니다.
• 열린 상태에서도 0V 근처: 센서 출력 단락이나 라인 누설입니다. 센서 출력 핀을 들어 올린 뒤 다시 쟀을 때 풀업 전압이 돌아오면 센서 불량입니다. 여전히 0V면 라인이나 EC 입력 쪽을 봅니다.
• 자석을 대도 풀업 전압 그대로: 센서 전원(VCC)이 들어오는지 먼저 확인합니다. 전원이 정상이고 자석을 센서 바로 위에 댔는데도 그대로면 센서 불량을 의심합니다.

출력 라인 근처가 침수로 부식됐다면 누설 전류 때문에 전압이 어정쩡한 중간값으로 나오기도 합니다. 이때는 주변을 세척하고 말린 뒤 다시 잽니다.

직접 시뮬레이션: 침수된 LID# 라인에서 멀티미터에 나오는 전압

센서는 멀쩡한데 덮개를 연 채로 절전되는 경우가 침수 뒤에 생길 수 있는 이유를 보기 위해, 오픈 드레인 센서 출력과 풀업 저항, 그리고 부식으로 생긴 누설 경로를 ngspice로 직접 시뮬레이션했습니다. 덮개가 열려 있으면 센서 출력 트랜지스터는 꺼져 있고, LID# 라인 전압은 풀업 저항과 누설 저항이 나눠 가진 값이 됩니다.

가정은 다음과 같습니다. 풀업은 3.3V에 100kΩ으로 두고, 비교용으로 10kΩ도 넣었습니다. 센서 출력이 꺼져 있을 때의 누설은 TI DRV5032 데이터시트의 오픈 드레인 출력 누설 최대값 100nA(5.5V 조건)를 그대로 넣어 나쁜 쪽으로 잡았고, 자석을 댄 상태는 출력 트랜지스터를 100Ω(같은 데이터시트의 1mA에서 VOL 일반값 0.1V에 해당)으로 넣었습니다. EC 입력 문턱은 일반적인 CMOS 입력 기준인 VIL 0.3×VDD(0.99V), VIH 0.7×VDD(2.31V)를 가정했습니다. 실제 EC의 문턱과 풀업 값은 칩과 보드마다 다르니 해당 칩 데이터시트와 회로도를 확인해야 합니다. 오른쪽 막대는 입력 저항 10MΩ인 멀티미터를 물린 상태로 계산했습니다.

LID#와 GND 사이 누설 (풀업 100kΩ)	누설 없음	1MΩ	300kΩ	100kΩ	30kΩ	자석 댐(정상 닫힘)
멀티미터로 읽는 LID# 전압	3.26V	2.96V	2.45V	1.64V	0.76V	3.3mV
EC 판정(가정한 문턱 기준)	열림	열림	열림(여유 작음)	정해지지 않음	닫힘	닫힘

직접 시뮬레이션 결과, 누설이 없으면 멀티미터에 3.26V가 나오고(센서 누설과 멀티미터 입력 저항 때문에 3.3V보다 조금 낮음), 누설이 1MΩ이면 2.96V, 300kΩ이면 2.45V, 100kΩ이면 1.64V, 30kΩ이면 0.76V였습니다. 풀업 100kΩ에서는 누설 저항이 236kΩ 아래로 내려가면 LID# 전압이 VIH 2.31V 아래로 떨어져 ‘열림’으로 읽힌다는 보장이 없어지고, 43kΩ 아래에서는 VIL 0.99V 아래라 덮개를 연 채로 ‘닫힘’으로 읽혔습니다. 풀업이 10kΩ이면 같은 문턱을 넘는 누설 저항이 23.4kΩ와 4.3kΩ로, 같은 오염이라도 풀업이 약한(값이 큰) 보드가 더 쉽게 영향을 받았습니다. 자석을 댄 정상 닫힘 상태는 3.3mV였습니다.

이 결과를 진단에 쓰는 방법은 다음과 같습니다.

• 덮개를 연 상태에서 0V도 풀업 전압도 아닌 값이 나오면 누설을 먼저 의심합니다. 위 표처럼 정상 센서의 출력은 열림이면 풀업 전압 근처, 닫힘이면 수 mV입니다. 1V대처럼 중간값이 나오면 센서가 반쯤 켜졌다기보다 라인 어딘가에서 GND로 전류가 새고 있을 수 있습니다. 풀업 값을 알면 R ≈ 풀업 × V ÷ (3.3V − V)로 누설 크기를 어림할 수 있습니다. 위 100kΩ 누설 경우의 1.64V를 넣으면 약 98kΩ이 나옵니다(직접 계산, 멀티미터와 센서 누설은 무시).
• 문턱 사이 값은 때에 따라 다르게 읽힙니다. VIL과 VIH 사이에 있는 전압은 EC가 어느 쪽으로 읽을지 정해져 있지 않고, 누설 저항 자체도 습기와 오염 상태에 따라 달라질 수 있습니다. ‘가끔 저절로 절전된다’는 증상이 이런 상태에서 나올 수 있으므로, 한 번 재서 풀업 전압이 나왔다고 끝내지 말고 조금 시간을 두고 여러 번 재 봅니다. 신호가 순간적으로 떨어지는지는 오실로스코프로 보면 더 잘 드러납니다.
• 센서 핀을 들어서 가립니다. 본문 위의 순서처럼 센서 출력 핀을 들어 올린 뒤에도 전압이 낮게 남으면 센서가 아니라 라인이나 EC 입력 쪽 누설입니다. 커넥터·비아·센서 주변의 부식 흔적을 찾아 세척하고 완전히 말린 뒤 다시 잽니다. 센서를 새것으로 바꿔도 누설이 남아 있으면 증상은 그대로입니다.
• 전원을 끈 저항 측정은 해석에 주의합니다. LID#와 GND 사이 저항을 재면 풀업 저항을 거쳐 3.3V 레일에 달린 다른 부품들까지 함께 잡히므로, 읽은 값이 그대로 누설 저항은 아닙니다. 정상 보드의 같은 지점과 비교할 수 있을 때만 참고합니다.

이 시뮬레이션은 풀업 하나, 누설 저항 하나, 센서 출력만 넣은 직류 모델입니다. 실제 부식은 저항이 아니라 전압과 시간에 따라 변하는 경로일 수 있고, 다른 신호선과 붙어 GND가 아닌 쪽으로 새기도 합니다. EC 입력에 슈미트 트리거나 내부 풀업이 있으면 문턱과 전압도 달라집니다. 수치는 원리를 확인하는 용도로 보시기 바랍니다. 시뮬레이션에 쓴 넷리스트는 아래와 같습니다.

* laptop lid hall switch (open-drain, e.g. TI DRV5032FC) -> LID# input of the EC, with a leakage path to GND (corrosion after liquid)
* pull-up 100k to 3.3V (assumed), sensor output OFF (no magnet) = high-Z with IOZ 100nA (DRV5032 datasheet max, at 5.5V) as worst case
* leakage to GND swept as R = 10^x ohm via a behavioral current source, x = 3.5 ... 8 (3.16k ... 100M)
* EC input thresholds assumed generic CMOS: VIL = 0.3*3.3 = 0.99V, VIH = 0.7*3.3 = 2.31V
Vx x 0 5
V33 vdd 0 3.3
* --- A: 100k pull-up, swept leakage
RpuA vdd a 100k
IozA a 0 100n
BlkA a 0 I = V(a)/pow(10, V(x))
* --- B: 10k pull-up (stronger, for comparison), swept leakage
RpuB vdd b 10k
IozB b 0 100n
BlkB b 0 I = V(b)/pow(10, V(x))
* --- fixed cases with 100k pull-up, read by a 10Mohm-input DMM
Rpu0 vdd n0 100k
Ioz0 n0 0 100n
Rdm0 n0 0 10Meg
Rpu1 vdd n1 100k
Ioz1 n1 0 100n
Rdm1 n1 0 10Meg
Rlk1 n1 0 1Meg
Rpu2 vdd n2 100k
Ioz2 n2 0 100n
Rdm2 n2 0 10Meg
Rlk2 n2 0 300k
Rpu3 vdd n3 100k
Ioz3 n3 0 100n
Rdm3 n3 0 10Meg
Rlk3 n3 0 100k
Rpu4 vdd n4 100k
Ioz4 n4 0 100n
Rdm4 n4 0 10Meg
Rlk4 n4 0 30k
* magnet present: output transistor ON, modelled as 100 ohm (VOL typ 0.1V at 1mA in the datasheet)
Rpu5 vdd n5 100k
Ron5 n5 0 100
Rdm5 n5 0 10Meg
.dc Vx 3.5 8.01 0.01
.meas dc xa_vih WHEN v(a)=2.31
.meas dc xa_vil WHEN v(a)=0.99
.meas dc xb_vih WHEN v(b)=2.31
.meas dc xb_vil WHEN v(b)=0.99
.meas dc va_100meg FIND v(a) AT=8
.meas dc vb_100meg FIND v(b) AT=8
.meas dc v_none FIND v(n0) AT=5
.meas dc v_1meg FIND v(n1) AT=5
.meas dc v_300k FIND v(n2) AT=5
.meas dc v_100k FIND v(n3) AT=5
.meas dc v_30k FIND v(n4) AT=5
.meas dc v_magnet FIND v(n5) AT=5
.meas dc va_1meg FIND v(a) AT=6
.meas dc vb_1meg FIND v(b) AT=6

2in1·태블릿형 노트북은 센서가 여러 개입니다

화면을 뒤로 완전히 젖혀 태블릿처럼 쓰는 2in1 노트북은 덮개 닫힘 센서 외에 ‘태블릿 모드’를 감지하는 홀 센서를 따로 두는 모델이 있습니다. 이 센서가 오작동하면 노트북 모드인데도 키보드와 터치패드가 꺼지거나, 화면 회전이 멋대로 바뀌는 증상이 나타납니다.

• 키보드와 터치패드가 동시에 안 된다면 입력 장치 고장보다 태블릿 모드 센서를 먼저 의심합니다.
• 화면을 여러 각도로 움직이며 증상이 바뀌는지 봅니다. 특정 각도에서만 문제가 생기면 센서와 자석의 위치 관계를 의심해 볼 수 있습니다.
• 보드뷰에서 이름이 비슷한 센서가 두 개 이상 보이면 각각의 출력 신호를 따로 측정합니다.

센서는 정상인데 증상이 계속될 때

센서 출력이 정상적으로 바뀌는데도 증상이 계속된다면 신호를 받는 쪽을 봅니다.

• EC 리셋: 어댑터와 배터리를 모두 분리하고 전원 버튼을 15~30초 눌러 잔류 전원을 뺀 뒤 다시 연결합니다. EC가 이상 상태에 멈춰 있던 경우 이것만으로 해결되기도 합니다.
• BIOS·EC 펌웨어: 덮개 신호를 읽고 절전을 거는 일은 EC 펌웨어와 BIOS가 맡습니다. 모델의 업데이트 내역에 덮개 감지나 절전 관련 항목이 있는지 확인합니다. EC가 센서 말고도 여러 신호를 읽는다는 점은 온도 센서 I2C 통신을 다룬 글에서도 볼 수 있습니다.
• 운영체제 전원 설정: 덮개 닫힘 동작과 절전 설정이 바뀌어 있지 않은지 확인합니다. 센서 신호가 정상으로 바뀌는데도 증상이 남으면 이 설정부터 확인합니다.

교체할 때 주의할 점

• 같은 부품 번호로 교체하는 것이 원칙입니다. 대체품을 쓸 때는 동작 전압, 출력 방식(오픈 드레인·푸시풀), 극성(옴니폴라 여부), 감도(데이터시트의 BOP·BRP), 패키지를 모두 맞춥니다. 오픈 드레인 자리에 푸시풀 부품을 달면 보드의 풀업 전압과 센서 전원 전압이 다를 때 문제가 될 수 있습니다.
• 센서는 SOT-23이나 초소형 DFN 패키지라서 열에 약합니다. 플럭스를 충분히 바르고 열풍기로 짧게 작업합니다.
• 디스플레이 패널이나 베젤을 교체한 뒤 증상이 생겼다면, 새 베젤에 자석이 빠져 있거나 위치가 다른 경우가 있습니다. 위 직접 계산처럼 자석은 몇 mm 차이로도 센서에 닿는 자기장이 크게 달라지니, 원래 베젤의 자석 위치와 비교합니다.
• 교체 후에는 덮개를 열고 닫기를 10번 이상 반복하고, 절전 진입과 복귀가 매번 정상인지 확인합니다. 외부 자석 액세서리를 쓰는 사용자라면 그 물건을 가까이 둔 상태로도 한 번 더 확인합니다.

안전 주의

• 보드를 켠 상태에서 측정할 때는 프로브 끝이 인접 핀을 동시에 건드리지 않도록 가는 팁을 씁니다.
• 납땜 전에는 반드시 어댑터와 배터리 커넥터를 모두 분리합니다.
• 강한 네오디뮴 자석은 하드디스크나 신용카드 근처에 두지 않고, 손가락이 끼지 않게 주의합니다.

자주 묻는 질문

Q. 운영체제에서 덮개 닫힘 동작을 ‘아무것도 안 함’으로 바꾸면 해결되나요?
화면이 꺼지는 증상은 줄어들 수 있지만 센서 신호는 그대로 잘못 들어갑니다. 일부 모델은 EC가 직접 화면을 끄므로 설정만으로 해결되지 않습니다. 원인을 확인하는 것이 먼저입니다.

Q. 센서를 떼어 버리면 어떻게 되나요?
오픈 드레인 센서이고 보드에 풀업 저항이 있다면 출력이 풀업 상태로 고정되어 덮개를 닫아도 절전이 되지 않습니다. 가방에 넣었을 때 과열될 수 있으니 임시 확인용으로만 씁니다.

Q. 자석이 든 액세서리를 팜레스트에 올리면 절전되는데 고장인가요?
센서가 정상으로 동작하는 것일 수 있습니다. 위 직접 계산에서 지름 12mm 자석(가정)은 센서에서 21.4mm 안에만 들어와도 센서를 동작시킬 수 있는 세기였습니다. 그 물건을 치웠을 때 증상이 사라지면 센서 고장이 아니라 위치 문제입니다.

Q. 침수 뒤 가끔 저절로 절전되는데 센서만 바꾸면 되나요?
센서보다 출력선 누설이 원인일 수 있습니다. 위 시뮬레이션처럼 풀업 100kΩ 기준으로 누설이 236kΩ 아래가 되면 EC가 ‘열림’으로 읽는다는 보장이 없어집니다. 덮개를 연 상태에서 LID# 전압이 풀업 전압보다 눈에 띄게 낮으면 주변을 세척하고 말린 뒤 다시 잽니다.

참고 자료
Texas Instruments, 「DRV5032 Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor」 데이터시트(SLVSDC7H)
Honeywell, 「Hall Effect Sensing and Application」
Wikipedia, 「Hall effect sensor」